一种半导体激光器装置及制作方法 | |
肖如磊; 赵雍; 施跃春; 陈向飞 | |
2018-09-04 | |
著作权人 | 南京大学 |
专利号 | CN108493763A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 一种半导体激光器装置及制作方法 |
英文摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器装置及制作方法,解决现有装置和方法波长切换时间慢、功率损耗大、结构尺寸大、制作成本高的问题。所述装置,包含有源层、缓冲层,还包含:P电极、电隔离、大啁啾光栅、N电极;电隔离位于相邻的P电极之间;大啁啾光栅为线性啁啾光栅,位于P电极下方,大啁啾光栅中均匀插入相移,相移个数与P电极个数相同,每个相移对应1个P电极,大啁啾光栅用于形成多纵模谐振腔,多纵模谐振腔对应的纵模激射工作波长最小值、最大值与所述大啁啾光栅的最小周期、最大周期相对应;有源层位于大啁啾光栅下方;缓冲层位于有源层下方;N电极位于缓冲层下方。所述方法用于制作所述装置。本发明实现了激光器波长快速切换的问题。 |
公开日期 | 2018-09-04 |
申请日期 | 2018-02-13 |
状态 | 申请中 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56963] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 南京大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 肖如磊,赵雍,施跃春,等. 一种半导体激光器装置及制作方法. CN108493763A. 2018-09-04. |
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