| 一种基于半导体激光器和可饱和吸收体的有源外腔结构 | |
| 张伟利; 胡波; 马瑞; 饶云江 | |
| 2018-08-21 | |
| 著作权人 | 电子科技大学 |
| 专利号 | CN108429124A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种基于半导体激光器和可饱和吸收体的有源外腔结构 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种基于半导体激光器和可饱和吸收体的有源外腔结构，涉及激光器领域，包括用于对入射光信号进行时域调控的半导体激光器，用于对半导体激光器反馈光进行校准的准直透镜，用于对反馈光进行吸收调控的可饱和吸收体以及与待调控光纤激光器连接的光引线。本发明中，有源外腔结构通过光引线与传统谐振腔型光纤激光器或无谐振腔的光钎随机激光器连接，实现动态调控，优化调Q或者锁模条件，便于复杂条件下的脉冲输出。 |
| 公开日期 | 2018-08-21 |
| 申请日期 | 2018-05-08 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56935]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 电子科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张伟利,胡波,马瑞,等. 一种基于半导体激光器和可饱和吸收体的有源外腔结构. CN108429124A. 2018-08-21. |
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