一种半导体激光器芯片金属的剥离方法

	一种半导体激光器芯片金属的剥离方法
	欧祥勇; 薛正群; 张鹏; 苏辉; 邓仁亮
	2018-08-14
著作权人	福建中科光芯光电科技有限公司
专利号	CN108398860A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	一种半导体激光器芯片金属的剥离方法
英文摘要	本发明涉及一种半导体激光器芯片的金属剥离方法。本发明是用光刻胶做掩膜，在曝光以后、利用反转烘烤、泛曝光、显影和坚膜，使光刻胶图形呈屋檐状倒台；在此基础上淀积金属膜，用剥离液去除光刻胶和多余的金属，完成金属剥离；本发明工艺步骤简单，成品率高，成本低，沉淀的金属形成的屋檐状光刻胶在掩膜区域断开，方便剥离液的渗入，有利于剥离。
公开日期	2018-08-14
申请日期	2018-03-21
状态	申请中
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56921]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	福建中科光芯光电科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	欧祥勇,薛正群,张鹏,等. 一种半导体激光器芯片金属的剥离方法. CN108398860A. 2018-08-14.