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	一种图形衬底半导体激光器及其制备方法
	朱振; 张新; 夏伟; 徐现刚
	2018-07-27
著作权人	山东华光光电子股份有限公司
专利号	CN108336641A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	一种图形衬底半导体激光器及其制备方法
英文摘要	一种图形衬底半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下包层、有源层、上包层和接触层，衬底的与下包层接触面上排布有梯形台，接触层上方设置有绝缘层，绝缘层上表面设置有上电极，衬底下表面设置有下电极。其制备方法的步骤包括：（1）在排布有梯形台的图形衬底上依次生长下包层、有源层、上包层和接触层；（2）在接触层上方生长绝缘层；（3）在绝缘膜上形成条状电流注入区；（4）减薄衬底背面；在绝缘层上表面蒸镀上电极，在衬底下表面蒸镀下电极；（5）解理成巴条；（6）解理成管芯。本发明既能形成侧向折射率波导，降低阈值电流，又能形成非吸收窗口，提高腔面COD功率；简化了半导体激光器的芯片制程，降低了生产成本。
公开日期	2018-07-27
申请日期	2017-01-20
状态	申请中
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56890]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	山东华光光电子股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	朱振,张新,夏伟,等. 一种图形衬底半导体激光器及其制备方法. CN108336641A. 2018-07-27.

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