基于光电器件的静态随机存取存储单元及其制备方法 | |
陆颢瓒; 高秦昌; 戴瑞萍; 王德波 | |
2018-07-24 | |
著作权人 | 南京邮电大学 |
专利号 | CN108321158A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 基于光电器件的静态随机存取存储单元及其制备方法 |
英文摘要 | 本发明公开了基于光电器件的静态随机存取存储单元及其制备方法,该静态随机存取存储单元的结构主要由发光二极管、光敏二极管、电源、光纤传输线组成;其中,PD1~PD4为光敏二极管,LD1、LD2为激光二极管。利用读/写1/写2三条IO光纤进行数据的读写,并控制存储单元的状态。本发明利用二极管进行存储功能,相比于传统的静态随机存取存储,其二极管工艺也具备高集成度的优点,利用光纤作为信号连接线,具有激光读写的高速度、高抗干扰、抗噪声等优点,同时可以兼容新兴的光处理器。 |
公开日期 | 2018-07-24 |
申请日期 | 2018-04-11 |
状态 | 申请中 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56888] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 南京邮电大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陆颢瓒,高秦昌,戴瑞萍,等. 基于光电器件的静态随机存取存储单元及其制备方法. CN108321158A. 2018-07-24. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论