内嵌布拉格光栅的GaN基DFB激光器及其制备方法

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	内嵌布拉格光栅的GaN基DFB激光器及其制备方法
	李俊泽; 李沫; 张建; 张健
	2018-06-01
著作权人	中国工程物理研究院电子工程研究所
专利号	CN108110614A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	内嵌布拉格光栅的GaN基DFB激光器及其制备方法
英文摘要	本发明公开了内嵌布拉格光栅的GaN基DFB半导体激光器及其制备方法，该方法步骤为：在GaN自支撑衬底上外延限制层；使用纳米压印技术在基片限制层表面利用SiO2制备均匀的布拉格光栅；制备完整外延片；对光栅进行掩埋生长并外延完整激光器结构；制备激光器芯片。本发明解决了利用电子束曝光制备百纳米级光栅不能大面积应用以及过高的制备成本问题，制备的外延片能利用光栅进行纳米异质外延弯曲位错，阻止位错进入上层结构，提升了外延片晶体质量、工艺简便、与常规工艺兼容，能大幅降低GaN基DFB半导体激光器成本，有效地提高的均匀性。利用本方法制备的DFB激光器因为其单模选择性较好，能运用于高功率固体激光器泵浦源。
公开日期	2018-06-01
申请日期	2017-12-20
状态	申请中
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56801]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国工程物理研究院电子工程研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李俊泽,李沫,张建,等. 内嵌布拉格光栅的GaN基DFB激光器及其制备方法. CN108110614A. 2018-06-01.