| 基于砷化镉材料的半导体外腔锁模激光器 | |
| 王枫秋; 秦嘉嵘; 孟亚飞; 黄磊; 黎遥; 徐永兵; 施毅; 祝世宁; 张荣 | |
| 2018-05-22 | |
| 著作权人 | 南京大学 |
| 专利号 | CN108063364A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 基于砷化镉材料的半导体外腔锁模激光器 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种基于砷化镉可饱和吸收材料的半导体外腔锁模激光器。依次由可连续、直接工作于中红外波段的半导体激光器、砷化镉薄膜、衍射光栅、透镜和反射镜构成；其中半导体激光器经透镜准直、衍射光栅衍射最终聚焦在砷化镉薄膜与反射镜构成的物理组合结构上，形成锁模脉冲；用于实现锁模脉冲输出的砷化镉薄膜厚度控制在30nm‑1μm，该可饱和吸收体工作波长覆盖2‑6微米的红外区域。本发明可以在中红外波段直接实现超快、高稳定、波长可调谐的锁模脉冲输出。 |
| 公开日期 | 2018-05-22 |
| 申请日期 | 2018-01-05 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56771]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 南京大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王枫秋,秦嘉嵘,孟亚飞,等. 基于砷化镉材料的半导体外腔锁模激光器. CN108063364A. 2018-05-22. |
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