| 一种香豆素类聚合物半导体激光材料的制备方法 | |
| 陆知纬 | |
| 2018-04-20 | |
| 著作权人 | 深圳市佶达德科技有限公司 |
| 专利号 | CN107936172A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种香豆素类聚合物半导体激光材料的制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种香豆素类聚合物半导体激光材料的制备方法，包括4‑苯基‑7‑羟基香豆素的制备、丙烯酸‑4‑苯基‑7‑羟基香豆素酯的制备、香豆素类聚合物的制备等步骤。本发明还提供了上述香豆素类聚合物半导体激光材料在激光器中的应用。该材料制备成本低，合成简单可控，产率高，溶解性好，同时具有较好的热稳定性。该材料在有机激光器件应用中表现出优异的热稳定性能、成膜稳定性和低阈值特性，低的水氧敏感性和高发光强度。其高的发光效率和迁移率，使其在电泵浦有机半导体激光、有机电致发光和有机场效应晶体管方面具有潜在的应用价值。 |
| 公开日期 | 2018-04-20 |
| 申请日期 | 2018-01-08 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56722]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 深圳市佶达德科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陆知纬. 一种香豆素类聚合物半导体激光材料的制备方法. CN107936172A. 2018-04-20. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论