一种用于半导体激光器稳频的光学F‑P谐振腔 | |
桂永雷; 王世宁; 邓从杰; 孙力凯 | |
2018-04-13 | |
著作权人 | 中国电子科技集团公司第四十九研究所 |
专利号 | CN107910743A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 一种用于半导体激光器稳频的光学F‑P谐振腔 |
英文摘要 | 一种用于半导体激光器稳频的光学F‑P谐振腔,本发明涉及一种光学F‑P谐振腔。本发明要解决在半导体激光器所用的原子/分子光谱稳频系统中,原子/分子气室是核心的频率参考器件。制作微型气室的工艺复杂度高,制作比较困难,且这种气室在工作时需配备加热器及温度传感器,光路体积想进一步缩小比较困难,若激光频率产生跳变,这种稳频系统很难将激光频率拉回到原来的中心频率上的问题。光学F‑P谐振腔由第一二氧化硅基片、第二二氧化硅基片、第三二氧化硅基片、第四二氧化硅基片、第五二氧化硅基片、第六二氧化硅基片、第七二氧化硅基片组成。 |
公开日期 | 2018-04-13 |
申请日期 | 2017-12-06 |
状态 | 申请中 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56719] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国电子科技集团公司第四十九研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 桂永雷,王世宁,邓从杰,等. 一种用于半导体激光器稳频的光学F‑P谐振腔. CN107910743A. 2018-04-13. |
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