QQ客服 官方微博 反馈留言

	多脊型半导体激光器及其制作方法
	温鹏雁; 张书明; 刘建平; 黄思溢; 李德尧; 张立群; 杨辉
	2018-04-13
著作权人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
专利号	CN107910747A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	多脊型半导体激光器及其制作方法
英文摘要	本发明公开了一种多脊型半导体激光器及其制作方法，所述多脊型半导体激光器包括衬底、形成于所述衬底上的外延结构，所述外延结构的顶部具有脊型半导体层，所述脊型半导体层包括多个脊型部，所述多脊型半导体激光器还包括多个顶电极，所述多个顶电极形成于所述多个脊型部上并与所述多个脊型部一一对应。本发明提供的多脊型半导体激光器的多个脊型部之间相互独立，当其中一个脊型部对应的有源区退化时，激光器还可以采用其他脊型部和顶电极进行工作，从而延长了激光器的使用寿命，同时，可以通过控制同时工作的脊型部的数量来调节激光输出功率，从而增加了激光器输出功率的调节范围。
公开日期	2018-04-13
申请日期	2017-12-12
状态	申请中
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56717]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	温鹏雁,张书明,刘建平,等. 多脊型半导体激光器及其制作方法. CN107910747A. 2018-04-13.

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。