一种具有会聚与选偏功能的硅基V型槽制备方法 | |
刘鹏程; 李明; 闫海涛; 张豪杰; 黄宁博; 王永贞 | |
2018-03-20 | |
著作权人 | 濮阳光电产业技术研究院 |
专利号 | CN107817554A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 一种具有会聚与选偏功能的硅基V型槽制备方法 |
英文摘要 | 本发明属于涉及数据通信、有源光缆,具体涉及一种具有会聚与选偏功能的硅基V型槽制备方法。一种具有会聚与选偏功能的硅基V型槽制备方法,包括带有45°微反射镜的硅基V型槽的制作步骤,还包括在制备好的硅基V型槽的45°反射镜面上进行ICP刻蚀制备光栅的过程。该方法通过硅刻蚀及镀膜方式,实现带有45°的微反射镜的硅基V型槽波导,以实现VCSEL的光路偏转;并在硅基V型槽的45°反射镜面上制备亚波长光栅,用以实现光的偏振及会聚,使用本方法制作的硅基V型槽提升耦合效率并实现高偏振态的光以便其在光纤中传输时色散更小传播的更远。 |
公开日期 | 2018-03-20 |
申请日期 | 2017-12-07 |
状态 | 申请中 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56689] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 濮阳光电产业技术研究院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘鹏程,李明,闫海涛,等. 一种具有会聚与选偏功能的硅基V型槽制备方法. CN107817554A. 2018-03-20. |
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