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	一种795nm超窄线宽外腔半导体激光器
	刘兴宇; 邵志强; 孙权; 桂勇雷; 崔洪亮; 邓崇杰
	2018-03-16
著作权人	中国电子科技集团公司第四十九研究所
专利号	CN107809056A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	一种795nm超窄线宽外腔半导体激光器
英文摘要	一种795nm超窄线宽外腔半导体激光器，本发明涉及一种半导体激光器。本发明要解决现有激光器难以满足单模、高功率、高光束质量、窄线宽、高相干、波长可调谐的问题。一种795nm超窄线宽外腔半导体激光器由半导体激光器增益芯片、准直透镜、双折射滤波器、法布里‑珀罗标准具及输出耦合镜组成；所述的半导体激光器增益芯片的出光方向上依次设有准直透镜、双折射滤波器、法布里‑珀罗标准具及输出耦合镜；所述的半导体激光器增益芯片的发射波长为795nm；所述的半导体激光器增益芯片包括DBR反射镜、增益区及窗口层。其可以输出满足应用要求的窄线宽激光，且波长线性连续可调，满足单模、高功率、高光束质量及高相干。
公开日期	2018-03-16
申请日期	2017-11-22
状态	申请中
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56683]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国电子科技集团公司第四十九研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘兴宇,邵志强,孙权,等. 一种795nm超窄线宽外腔半导体激光器. CN107809056A. 2018-03-16.

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