| 一种垂直腔面发射半导体激光器及其制作方法 | |
| 张建伟; 张继业; 张星; 宁永强; 秦莉; 王立军 | |
| 2018-02-27 | |
| 著作权人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 专利号 | CN107742824A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种垂直腔面发射半导体激光器及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种垂直腔面发射半导体激光器及其制作方法，P型电极结构包括透明绝缘层、透明导电层以及网格电极。透明绝缘层和网格电极具有预设的图案结构，形成多个阵列排布的出光口。出光口的边缘区域可以通过相消干涉消除出光口边缘区域的高阶模，增大高阶模的损耗，而出光口的边缘区域对基模的损耗较小。方框的开口为通孔的中心区域，中心区域仅有一层透明导电层，中心区域的透明导电层直接与下方的P型DBR结构接触，电流通过网格电极下的透明导电层注入，增大了基模的增益，而对设定高阶模的增益较小。因此，可以实现高功率高稳定性的单模出射。 |
| 公开日期 | 2018-02-27 |
| 申请日期 | 2017-12-01 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56656]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张建伟,张继业,张星,等. 一种垂直腔面发射半导体激光器及其制作方法. CN107742824A. 2018-02-27. |
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