| 一种低阈值小发散角980nm半导体激光器外延结构 | |
| 李林; 曾丽娜; 李再金; 赵志斌; 李特; 曲轶; 彭鸿雁; 张铁民 | |
| 2018-02-23 | |
| 著作权人 | 海南师范大学 |
| 专利号 | CN107732656A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种低阈值小发散角980nm半导体激光器外延结构 |
| 英文摘要 | 本发明属于半导体光电子技术领域，涉及一种低阈值小发散角半导体激光器外延结构，包括顺次连接的衬底（1）、缓冲层（2）、n型下限制层（3）、n型下模式扩展层（4）、n型下低折射率层（5）、渐变下波导层（6）、下势垒层（7）、有源层（8）、上势垒层（9）、渐变上波导层（10）、p型上低折射率层（11）、p型上模式扩展层（12）、p型上限制层（13）和欧姆接触层（14）；通过优化设计低折射率层（5）和（11），以及模式扩展层（4）和（12）。通过上述方式，本发明设计了一种新型的外延结构，引入了低折射率层和模式扩展层来降低激光器垂直发散角，能够获得激光器小发散角，同时具有较小的阈值电流密度。 |
| 公开日期 | 2018-02-23 |
| 申请日期 | 2017-10-26 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56646]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 海南师范大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李林,曾丽娜,李再金,等. 一种低阈值小发散角980nm半导体激光器外延结构. CN107732656A. 2018-02-23. |
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