| 一种M型渐变波导半导体激光器结构 | |
| 李林; 曾丽娜; 赵志斌; 李再金; 李特; 曲轶; 张铁民; 彭鸿雁 | |
| 2018-01-12 | |
| 著作权人 | 海南师范大学 |
| 专利号 | CN107579431A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种M型渐变波导半导体激光器结构 |
| 英文摘要 | 本发明属于半导体光电子技术领域，涉及一种M型渐变波导半导体激光器结构，在衬底层上由下至上依次包括：衬底（1），缓冲层（2），Si掺杂下限制层（3），M型渐变下波导层（4），下势垒层（5），有源区（6），上势垒层（7），M型渐变上波导层（8），Zn掺杂上限制层（9），欧姆接触层(10)。通过上述方式，本发明设计了一种新型的外延结构，引入了一种M型渐变波导层结构来降低激光器的阈值电流密度和远场垂直发散角。 |
| 公开日期 | 2018-01-12 |
| 申请日期 | 2017-10-23 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56597]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 海南师范大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李林,曾丽娜,赵志斌,等. 一种M型渐变波导半导体激光器结构. CN107579431A. 2018-01-12. |
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