砷化镓激光器腔面及钝化方法、砷化镓激光器及制备方法 | |
赵永超; 米洪龙; 李小兵; 郭永瑞; 关永莉; 陈宇星; 王琳 | |
2017-12-26 | |
著作权人 | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 |
专利号 | CN107516818A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 砷化镓激光器腔面及钝化方法、砷化镓激光器及制备方法 |
英文摘要 | 本发明提供一种砷化镓激光器腔面及钝化方法、砷化镓激光器及制备方法,属于半导体激光器领域;砷化镓激光器的腔面钝化方法包括:在高真空条件下,以10‑30sccm的流量给离子源通入氩气形成等离子体Ar+,等离子体Ar+经过电场加速后轰击砷化镓激光器的腔面5‑20min,以10‑30sccm的流量给离子源通入氮气和氢气的混合气体形成混合等离子体NH+,混合等离子体NH+经电场加速后与砷化镓激光器腔面的表层发生化学反应,5‑10min后形成阻挡层;在阻挡层上镀一层厚度为5‑15nm的钝化膜,采用镀膜工艺在钝化膜上镀制反射膜。本发明可大幅度提升砷化镓激光器的可靠性,保证砷化镓激光器在高功率条件下的工作稳定性,并延长砷化镓激光器的寿命。 |
公开日期 | 2017-12-26 |
申请日期 | 2017-09-21 |
状态 | 申请中 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56561] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵永超,米洪龙,李小兵,等. 砷化镓激光器腔面及钝化方法、砷化镓激光器及制备方法. CN107516818A. 2017-12-26. |
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