可集成光电器件及其制作方法、多个光电器件的集成方法 | |
耿煜; 张运生 | |
2017-08-11 | |
著作权人 | 深圳信息职业技术学院 |
专利号 | CN107037534A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 可集成光电器件及其制作方法、多个光电器件的集成方法 |
英文摘要 | 本发明适用于光电领域,提供了一种可集成光电器件及其制作方法、多个光电器件的集成方法,该器件包括:多层结构的基底,基底从底至顶底依次包括衬底以及在衬底上依次逐层生长出的第一N型接触层、N型包层、第二N型接触层、有源区、P型接触层和无定型硅波导层;硅波导区,硅波导区通过将所述无定型硅波导层第一次刻蚀为条状结构形成,硅波导区的两侧均暴露出条状的P型接触层。本发明通过III‑V的直接生长,在III‑V或着Si衬底上一次性直接生长各种III‑V光电器件层状结构,并使用无定型硅和SiO2为光波导,连接各个器件,避免使用键合技术和昂贵的SOI衬底,制作工艺简单,有利于大规模低成本生产。 |
公开日期 | 2017-08-11 |
申请日期 | 2017-05-23 |
状态 | 授权 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56105] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 深圳信息职业技术学院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 耿煜,张运生. 可集成光电器件及其制作方法、多个光电器件的集成方法. CN107037534A. 2017-08-11. |
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