| 基于对称垂直光栅耦合结构的SOI基光隔离器 | |
| 黄北举; 张赞; 张赞允; 陈弘达 | |
| 2013-02-13 | |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利号 | CN102928925A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 基于对称垂直光栅耦合结构的SOI基光隔离器 |
| 英文摘要 | 一种基于对称垂直光栅耦合结构的SOI基光隔离器，包括：一个垂直耦合光栅；两个模式转换器，分别制作在垂直耦合光栅的两侧，实现近似无损耗的能量传输以及模式转换；两个单模脊型波导，其分别与两个模式转换器的一端连接；一个光学合束器，其分别与两个单模脊型波导的另一端连接；其中所述的一个垂直耦合光栅、两个模式转换器、两个单模脊型波导和一个光学合束器均制作在一衬底上。其具有耦合与光隔离功能一体化、易于对准、低插入损耗、制作工艺与CMOS工艺兼容等潜在的特性和优点，有望在未来的片上/片间光互连网络中获得重要应用。 |
| 公开日期 | 2013-02-13 |
| 申请日期 | 2012-10-24 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55934]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄北举,张赞,张赞允,等. 基于对称垂直光栅耦合结构的SOI基光隔离器. CN102928925A. 2013-02-13. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论