| 一种泄漏波耦合锁相阵列半导体激光器 | |
| 郑婉华; 周旭彦 | |
| 2019-09-13 | |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利号 | CN110233426A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种泄漏波耦合锁相阵列半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种泄漏波耦合锁相阵列半导体激光器，所述半导体激光器至少包括：一堆叠结构(10)，形成于一衬底(12)之上；一叠层结构(16)，形成于所述堆叠结构(10)之上；一锁相阵列结构(1)，从叠层结构上表面对叠层结构(16)进行刻蚀而形成，包括N个脊型结构(2)，其中，N为大于等于2的自然数；以及一锗材料层(17)，形成于所述N个脊型结构之间的叠层结构之上。本发明提出的泄漏波耦合锁相阵列半导体激光器，通过引入高折射率材料锗，构建侧向无需二次外延反波导结构，实现侧向同相模式激射，获得侧向远场超窄发散角。有利于提高半导体激光器的耦合效率，降低对准难度。 |
| 公开日期 | 2019-09-13 |
| 申请日期 | 2019-06-25 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55527]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑婉华,周旭彦. 一种泄漏波耦合锁相阵列半导体激光器. CN110233426A. 2019-09-13. |
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