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	一种高效VCSEL芯片及其制造方法
	窦志珍; 曹广亮; 刘留; 苏小平
	2019-09-03
著作权人	威科赛乐微电子股份有限公司
专利号	CN110197992A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	一种高效VCSEL芯片及其制造方法
英文摘要	本发明涉及激光芯片技术领域，尤其涉及一种高效VCSEL芯片及其制造方法，该VCSEL芯片包括散热层、外延片，散热层包括多层Cu层，散热层的底层成型有若干散热孔，外延片包括N‑DBR、量子阱、氧化层、P‑DBR和第一欧姆接触层，外延片背离第一欧姆接触层的一侧依次生长有第二SiNx层、ITO层和N‑contact，第一欧姆接触层上生长有第一SiNx层，第一SiNx层被蚀刻出欧姆接触孔，欧姆接触孔内填充有第二欧姆接触层，第二欧姆接触层的截面呈倒T字形且覆盖在第一SiNx层上，第二欧姆接触层与散热层连接。本发明制造得到的VCSEL芯片通过散热层和散热孔提高了芯片本身的散热能力，从而提高了饱和电流值，使得功率效率和斜率效率均得以提高，且电流集中注入时能够得到均匀分布，减少横模的产生。
公开日期	2019-09-03
申请日期	2019-06-17
状态	申请中
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55504]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	威科赛乐微电子股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	窦志珍,曹广亮,刘留,等. 一种高效VCSEL芯片及其制造方法. CN110197992A. 2019-09-03.

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