| 单颗可变色阵列型VCSEL芯片及其制造方法 | |
| 窦志珍; 曹广亮; 刘留; 苏小平 | |
| 2019-08-30 | |
| 著作权人 | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
| 专利号 | CN110190515A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 单颗可变色阵列型VCSEL芯片及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了单颗可变色阵列型VCSEL芯片及其制造方法，VCSEL芯片包括量子阱、第一过渡层和第二过渡层；第一过渡层上设置有第一GaAs柱，第一GaAs柱上独立生长有ODR层，ODR层被蚀刻形成第一台柱，第一台柱蒸镀有镜面层，三个第一台柱的镜面层上覆盖有同一外延片键合层，且外延片键合层覆盖镜面层外侧直至第一过渡层，外延片键合层上设置有Si片、P‑contact；第二过渡层上设置有三个独立的第二GaAs柱，第二GaAs柱上生长有DBR层，DBR层被蚀刻形成第二台柱，第二台柱蒸镀有N‑contact，N‑contact在第二台柱的顶面设有出光孔。本发明的VCSEL芯片采用“过渡层+MQW+过渡层”结构提高了载流子密度，使VCSEL受激发时功率效率提高，使用ITO层使电流扩展更加均匀，减少了横模的产生。 |
| 公开日期 | 2019-08-30 |
| 申请日期 | 2019-06-18 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55490]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 窦志珍,曹广亮,刘留,等. 单颗可变色阵列型VCSEL芯片及其制造方法. CN110190515A. 2019-08-30. |
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