| 基于SOI上硅基微结构的太赫兹调制器及系统和方法 | |
| 文岐业; 张豪; 申朝阳; 何雨莲; 杨青慧; 谭为; 冯正; 张怀武 | |
| 2019-08-06 | |
| 著作权人 | 电子科技大学 |
| 专利号 | CN110095888A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 基于SOI上硅基微结构的太赫兹调制器及系统和方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种基于SOI上硅基微结构的太赫兹调制器及其制备方法和调制系统，太赫兹调制器从下至上依次包括：底层的Al2O3衬底、SiO2隔离层、硅基微结构、Al2O3钝化层，硅基微结构在SiO2隔离层上周期性排列，每个硅基微结构包括两层正方形Si基台阶结构，调制系统包括：半导体激光器、激光调制器、太赫兹调制器、太赫兹辐射源、太赫兹探测器，本发明对于0.4THz～0.85THz的太赫兹波具有22％以下的反射率，在0.82THz处达到最低18％，可显著降低调制器件对太赫兹波的反射率，提高太赫兹波的利用率；在功率为1200mw的808nm激光照射下达到64.5％的调制深度；太赫兹成像扩散区域相较于传统硅基太赫兹调制器，有效提高成像系统中的分辨率达到29％以上。 |
| 公开日期 | 2019-08-06 |
| 申请日期 | 2019-05-07 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55423]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 电子科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 文岐业,张豪,申朝阳,等. 基于SOI上硅基微结构的太赫兹调制器及系统和方法. CN110095888A. 2019-08-06. |
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