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	近红外荧光粉、近红外荧光粉制备方法及其应用
	张亮亮; 张家骅; 郝振东; 贺帅
	2019-08-01
著作权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
专利号	WO2019144933A1
国家	世界知识产权组织
文献子类	发明申请
其他题名	近红外荧光粉、近红外荧光粉制备方法及其应用
英文摘要	本发明提供的近红外荧光粉的化学通式为(R aLn bCe cCr dA f)(L eCr g)(M kG mCr n)O 12，R选自Ca 2+、Sr 2+、Ba 2+中的至少一种，Ln为Lu 3+、Y 3+、La 3+及Gd 3+中的至少一种，A选自Nd 3+、Yb 3+、Tm 3+、Er 3+、Ho 3+及Dy 3+中的至少一种，L为Ti 4+、Hf 4+、Zr 4+中的至少一种，M为Al 3+、Ga 3+中的至少一种，G为Si 4+、Ge 4+、Sn 4+中的至少一种，该近红外荧光粉可作为LED芯片以及半导体激光(LD)激发的近红外荧光粉，实现宽带发射可调近红外光源，可满足近红外光谱检测、光生物成像及光生物功能调节等应用。
公开日期	2019-08-01
申请日期	2019-01-25
状态	未确认
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55411]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	张亮亮,张家骅,郝振东,等. 近红外荧光粉、近红外荧光粉制备方法及其应用. WO2019144933A1. 2019-08-01.

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