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	半导体激光器非吸收窗口及其制备方法和半导体激光器
	王俊; 赵智德; 程洋
	2019-07-26
著作权人	苏州长光华芯光电技术有限公司
专利号	CN110061416A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	半导体激光器非吸收窗口及其制备方法和半导体激光器
英文摘要	本发明公开了一种半导体激光器非吸收窗口及其制备方法和半导体激光器，该制备方法包括：在半导体激光器外延片原位刻蚀得到的待扩散区域生长扩散源；将扩散源扩散至待扩散区域，得到扩散区；在扩散区表面上生长宽禁带层，宽禁带层和扩散区形成非吸收窗口。本发明实施例提供的半导体激光器非吸收窗口制备方法，首先采用扩散的方式，使得杂质离子扩散到半导体激光器外延片中，接着在扩散区上生长宽禁带材料，形成宽禁带层，宽禁带层和非吸收窗口构成非吸收窗口区。现有技术中扩散形成所需厚度的非吸收窗口时，需要在800摄氏度以上的高温下、扩散10个小时以上。本发明在同一设备中进行扩散和生长宽禁带材料，减小了扩散时所需要的扩散深度和扩散时间。
公开日期	2019-07-26
申请日期	2019-04-12
状态	申请中
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55404]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	苏州长光华芯光电技术有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	王俊,赵智德,程洋. 半导体激光器非吸收窗口及其制备方法和半导体激光器. CN110061416A. 2019-07-26.

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