| 晶体管垂直腔面发射激光器及其制备方法 | |
| 向宇 | |
| 2019-07-12 | |
| 著作权人 | 苏州长瑞光电有限公司 |
| 专利号 | CN110011181A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 晶体管垂直腔面发射激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种晶体管垂直腔面发射激光器，包括按照外延生长的次序依次排布的衬底、下端面分布式布拉格反射镜、集电区、基区、发射区、上端面分布式布拉格反射镜，以及分别与集电区、基区、发射区导通的电极：集电极、基极、发射极；所述基区中设置有量子阱有源区；在基区、发射区、上端面分布式布拉格反射镜上除电极以外的表面区域均包覆有Al2O3保护膜，并且所述上端面分布式布拉格反射镜是由Al2O3膜结构与至少一种其它电介质材料膜结构呈周期性排布所构成的亚波长高对比度光栅。本发明还公开了上述晶体管垂直腔面发射激光器的制备方法。本发明在大幅提高T‑VCSEL器件的可靠性的同时，还降低了器件制造的工艺难度。 |
| 公开日期 | 2019-07-12 |
| 申请日期 | 2019-05-24 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55378]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 苏州长瑞光电有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 向宇. 晶体管垂直腔面发射激光器及其制备方法. CN110011181A. 2019-07-12. |
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