一种垂直腔面发射激光器芯片及制作方法

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	一种垂直腔面发射激光器芯片及制作方法
	刘凯; 罗俊伟; 位祺; 黄永清; 段晓峰; 王琦; 任晓敏; 蔡世伟
	2019-06-11
著作权人	北京邮电大学
专利号	CN109873296A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	一种垂直腔面发射激光器芯片及制作方法
英文摘要	本发明实施例提供一种垂直腔面发射激光器芯片及制作方法，采用相应的第二多层材料膜反射镜层和金属反射镜层构成的组合反射镜作为VCSEL的非出光面(底面)反射镜，并且第二多层材料膜反射镜层的对数少于由第一多层材料膜反射镜层构成的VCSEL的(顶面)出光面反射镜的对数，第二多层材料膜反射镜层的反射率低于第一多层材料膜反射镜层的反射率。采用的上述组合反射镜代替了传统的垂直腔面发射激光器芯片第二包层下面的分布式布拉格反射镜构成的底面反射镜，可以在较少的材料膜反射镜层对数的情况下获得所需的高反射率，同时可以减少相应的材料应力和串联电阻，在减小器件制作工艺难度的情况下提升器件的性能。
公开日期	2019-06-11
申请日期	2019-03-26
状态	申请中
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55295]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京邮电大学
推荐引用方式 GB/T 7714	刘凯,罗俊伟,位祺,等. 一种垂直腔面发射激光器芯片及制作方法. CN109873296A. 2019-06-11.