锑掺杂量对 ATO 薄膜结构及光、电性能的影响

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	锑掺杂量对 ATO 薄膜结构及光、电性能的影响
	易戈文; 张晓亮; 贾均红
刊名	无机盐工业
	2012
卷号	44 期号:1 页码:19-21
关键词	ATO 纳米薄膜 Sb 掺杂量 sol-gel 法光透过率方块电阻 ATO films Sb doping amounts sol-gel method transmission sheet resistance
ISSN号	1006-4990
中文摘要	以四氯化锡和三氯化锑为主要原料，采用溶胶-凝胶法制备了不同锑掺杂量的纳米锑掺杂二氧化锡(ATO) 薄膜。分别利用XRD、FESEM、紫外可见分光光度计和四探针电阻仪对晶体结构、薄膜形貌、光透过率和薄膜方块电阻进行表征，考察锑掺杂量对ATO 薄膜晶体结构、晶粒尺寸、光透过率和导电性能的影响。结果表明: 所制备的ATO 薄膜为(110) 面择优取向的四方相锡石结构，晶粒尺寸小于26 nm，当锑掺杂量为10% (物质的量分数)时，ATO 薄膜具有最小的方块电阻( 60.1 Ω/□) ，可见光透过率大于85%。
学科主题	材料科学与物理化学
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金资助项目(50705094);中国科学院“百人计划”资助项目(KGCX2-YW-804)
语种	中文
公开日期	2013-07-12
内容类型	期刊论文
源URL	[http://210.77.64.217/handle/362003/3544]
专题	兰州化学物理研究所_固体润滑国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	易戈文,张晓亮,贾均红. 锑掺杂量对 ATO 薄膜结构及光、电性能的影响[J]. 无机盐工业,2012,44(1):19-21.
APA	易戈文,张晓亮,&贾均红.(2012).锑掺杂量对 ATO 薄膜结构及光、电性能的影响.无机盐工业,44(1),19-21.
MLA	易戈文,et al."锑掺杂量对 ATO 薄膜结构及光、电性能的影响".无机盐工业 44.1(2012):19-21.