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	一种半导体激光器封装结构及其制备方法
	石琳琳; 房俊宇; 马晓辉; 邹永刚; 徐莉; 张贺; 徐英添; 李岩; 金亮
	2019-04-02
著作权人	长春理工大学
专利号	CN109560456A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	一种半导体激光器封装结构及其制备方法
英文摘要	本申请属于激光器技术领域，特别是涉及一种半导体激光器封装结构及其制备方法。由于铜化钨材料具有高热导率，低热膨胀系数，导电性优良，是一个很好的次热沉材料，随着铜化钨尺寸的增大可以达到更好的散热效果。但由于铜化钨价格昂贵，导致半导体激光器的封装成本越来越高。本申请提供一种半导体激光器封装结构及其制备方法，包括基础热沉，所述基础热沉上设置有辅助热沉，所述辅助热沉包括第一石墨热沉和第二石墨热沉，所述第一石墨热沉与所述第二石墨热沉之间设置有过渡热沉。使得在减少过渡热沉尺寸的同时，仍然能够达到更好的散热效果，在封装材料选择上不再局限于增加成本较高的封装材料尺寸(如氮化铝，铜化钨，金刚石等)。
公开日期	2019-04-02
申请日期	2018-07-26
状态	申请中
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55111]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	石琳琳,房俊宇,马晓辉,等. 一种半导体激光器封装结构及其制备方法. CN109560456A. 2019-04-02.

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