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	独立开关式面光源VCSEL及其制备方法
	王俊; 谭少阳; 赵智德
	2019-03-26
著作权人	苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
专利号	CN109524879A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	独立开关式面光源VCSEL及其制备方法
英文摘要	本发明提供一种独立开关式面光源VCSEL及其制备方法，其中，独立开关式面光源VCSEL包括：半导体衬底、外延层以及至少两个各自独立工作的发光区域；外延层位于半导体衬底的正面，发光区域位于外延层的正面，各发光区域具有各自独立的供电电极，任一发光区域包括：发光芯片以及供电电极，发光芯片包括自上而下依次层叠设置的：上DBR层、有源层以及下DBR层，供电电极包括：外延层电极以及背电极，外延层电极一端与上DBR层的顶面相连接，另一端延伸至外延层上，背电极位于半导体衬底层的背面。本发明中，各发光区域可协同工作，也可各自独立工作，充分满足了实际的使用需求。同时，还有利于节约能耗，延长面光源的使用寿命。
公开日期	2019-03-26
申请日期	2018-12-29
状态	申请中
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55096]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	王俊,谭少阳,赵智德. 独立开关式面光源VCSEL及其制备方法. CN109524879A. 2019-03-26.

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