| 应用于VCSEL结构外延片的光致发光测试的逐层刻蚀方法及其VCSEL结构外延片 | |
| 张杨; 李弋洋 | |
| 2019-03-22 | |
| 著作权人 | 中科芯电半导体科技(北京)有限公司 |
| 专利号 | CN109507006A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 应用于VCSEL结构外延片的光致发光测试的逐层刻蚀方法及其VCSEL结构外延片 |
| 英文摘要 | 本发明公开了应用于VCSEL结构外延片的光致发光测试的逐层刻蚀方法及其VCSEL结构外延片，逐层刻蚀方法包括以下步骤：(1)在VCSEL结构外延片的上方放置一个激光器，使所述激光器的出射光对准VCSEL结构外延片；(2)调节所述激光器照射在所述VCSEL结构外延片上的光斑直径为5‑2.5mm，调节所述激光器的输出功率为500W；(3)所述激光器对所述VCSEL结构外延片进行激光刻蚀，待所述VCSEL结构外延片的刻蚀深度到达3‑5μm后，停止激光刻蚀。VCSEL结构外延片，所述VCSEL结构外延片上的刻蚀区域是直径为5‑2.5mm的圆形，所述VCSEL结构外延片的刻蚀深度为3‑5μm。 |
| 公开日期 | 2019-03-22 |
| 申请日期 | 2018-12-20 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55090]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中科芯电半导体科技(北京)有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张杨,李弋洋. 应用于VCSEL结构外延片的光致发光测试的逐层刻蚀方法及其VCSEL结构外延片. CN109507006A. 2019-03-22. |
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