| 一种应用于VCSEL中的DBR生长方法、分布式布拉格反射镜和垂直腔面发射激光器 | |
| 张杨; 崔利杰 | |
| 2019-03-12 | |
| 著作权人 | 中科芯电半导体科技(北京)有限公司 |
| 专利号 | CN109462143A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种应用于VCSEL中的DBR生长方法、分布式布拉格反射镜和垂直腔面发射激光器 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种应用于VCSEL中的DBR生长方法、分布式布拉格反射镜和垂直腔面发射激光器，通过周期性调节DBR反射镜界面处的掺杂浓度，即通过delta重掺杂以增大隧道效应形成的隧道电流，可以减小相应的串联电阻。随着掺杂浓度的增加，周期性掺杂反射镜的总串联电阻显著降低，并且减小了同型异质结表面耗尽层的厚度。这些异质结表面对应着DBR中光驻波的结点(node)，由于这些重掺杂区域的光密度低，所以自由载流子吸收不大。因此，周期掺杂反射镜拥有低电阻和高反射率。 |
| 公开日期 | 2019-03-12 |
| 申请日期 | 2018-09-30 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55062]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中科芯电半导体科技(北京)有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张杨,崔利杰. 一种应用于VCSEL中的DBR生长方法、分布式布拉格反射镜和垂直腔面发射激光器. CN109462143A. 2019-03-12. |
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