| 在二维均匀栅格VCSEL阵列上创建任意图案 | |
| 林劲翰; 李卫平; 范晓峰 | |
| 2019-03-05 | |
| 著作权人 | 苹果公司 |
| 专利号 | CN109428261A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 在二维均匀栅格VCSEL阵列上创建任意图案 |
| 英文摘要 | 本发明题为“在二维均匀栅格VCSEL阵列上创建任意图案”。本发明公开了一种光电设备，所述光电设备包括半导体基板和在半导体基板上形成的光电池阵列。光电池阵列包括第一外延层，所述第一外延层限定下分布式布拉格反射器(DBR)叠层；第二外延层，所述第二外延层在所述下DBR叠层上形成并限定量子阱结构；第三外延层，所述第三外延层在所述量子阱结构上形成并限定上DBR叠层；以及在上DBR叠层上形成的电极，所述电极可被配置为将激发电流注入到每个光电池的量子阱结构中。第一组光电池被配置为响应于激发电流而发射激光辐射。在与第一组交织的第二组光电池中，光电池的选自外延层和电极的至少一个元件被配置为使得第二组中的光电池不发射激光辐射。 |
| 公开日期 | 2019-03-05 |
| 申请日期 | 2018-08-13 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55045]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 苹果公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林劲翰,李卫平,范晓峰. 在二维均匀栅格VCSEL阵列上创建任意图案. CN109428261A. 2019-03-05. |
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