PROCEDE DE REALISATION DE COMPOSANT COMPRENANT DES MATERIAUX III-V ET DES CONTACTS COMPATIBLES DE FILIERE SILICIUM | |
GHEGIN ELODIE; JANY CHRISTOPHE; NEMOUCHI FABRICE; RODRIGUEZ PHILIPPE; SZELAG BERTRAND | |
2018-06-29 | |
著作权人 | COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES |
专利号 | FR3061354A1 |
国家 | 法国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | PROCEDE DE REALISATION DE COMPOSANT COMPRENANT DES MATERIAUX III-V ET DES CONTACTS COMPATIBLES DE FILIERE SILICIUM |
英文摘要 | L'invention concerne un procédé de réalisation d'un composant comprenant une structure en matériau(x) III-V à la surface d'un substrat, ladite structure comprenant au moins un niveau supérieur de contact (Nsup) défini à la surface d'un premier matériau III-V (1) et un niveau inférieur de contact (Ninf) défini à la surface d'un second matériau III-V (2), comportant : - des opérations successives d'encapsulation par au moins un diélectrique (8) de ladite structure ; - la réalisation d'ouvertures primaires (Osp ;Oip) dans un diélectrique pour les deux contacts ; - la réalisation d'ouvertures secondaires (Oss ;Ois) dans un diélectrique pour les deux contacts ; - le remplissage au moins partiel par au moins une matière métallique desdites ouvertures de manière à réaliser une métallisation de fond de contact supérieur et au moins un plot de contact supérieur en contact avec ladite métallisation pour chacun desdits contacts. L'invention a aussi pour objet un composant réalisé par ledit procédé. Le composant peut être une diode laser. |
公开日期 | 2018-06-29 |
申请日期 | 2016-12-22 |
状态 | 申请中 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/54752] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES |
推荐引用方式 GB/T 7714 | GHEGIN ELODIE,JANY CHRISTOPHE,NEMOUCHI FABRICE,et al. PROCEDE DE REALISATION DE COMPOSANT COMPRENANT DES MATERIAUX III-V ET DES CONTACTS COMPATIBLES DE FILIERE SILICIUM. FR3061354A1. 2018-06-29. |
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