QQ客服 官方微博 反馈留言

	半導体発光素子および発光装置
	伊藤 哲
	2008-06-05
著作权人	SONY CORP
专利号	JP2008130664A
国家	日本
文献子类	发明申请
其他题名	半導体発光素子および発光装置
英文摘要	【課題】熱放散を効率よく行うことができ、熱応力を緩和して高い信頼性を得ることができる半導体発光素子およびこれを用いた発光装置を提供する。 【解決手段】p側電極層70に、インジウム(In)を含む材料よりなる応力緩和層71を設ける。半導体レーザアレイ20とベース10との接合時に発生する熱応力を応力緩和層71の塑性変形により吸収、緩和して信頼性を高めると共に、熱放散を効率良く行う。応力緩和層71は、インジウム(In)-銀(Ag)合金、または、インジウム(In)により構成する。応力緩和層71の上側および下側を、インジウム(In)と合金を全く形成しない金属、例えばアルミニウム(Al)よりなる合金化防止層72で挟むことにより、応力緩和層71に含まれるインジウム(In)がp側電極層70の金(Au)層77や白金(Pt)層74,76と反応して合金化するのを抑制する。 【選択図】図3
公开日期	2008-06-05
申请日期	2006-11-17
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51550]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SONY CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	伊藤 哲. 半導体発光素子および発光装置. JP2008130664A. 2008-06-05.

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。