半導体発光装置およびそれを用いた光装置
竹谷 元伸
2006-03-02
著作权人SONY CORP
专利号JP2006060105A
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体発光装置およびそれを用いた光装置
英文摘要【課題】 GaNなどの導電性基板を用いた半導体発光装置において、2つの電極を基板あるいはヒートシンクから浮かせたフローティング実装を可能とし、放熱特性を生かしつつ、低電圧駆動を可能とする。 【解決手段】 n型GaNからなる基板11とn側コンタクト層13との間に、p型GaN:Mg層からなる電流阻止層12を介在させる。基板11,電流阻止層12およびn側コンタクト層13の上下3層でnpn構造が形成され、基板11とその上のレーザ構造とが電気的に分離される。p側電極22を上にして基板11の裏面側をヒートシンク28に接続させたとしても、n側電極24は、基板11およびヒートシンク28を介して接地されることがなく、p側電極22と共に基板11から切り離されてフローティング状態となる。 【選択図】図1
公开日期2006-03-02
申请日期2004-08-23
状态失效
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51437]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SONY CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
竹谷 元伸. 半導体発光装置およびそれを用いた光装置. JP2006060105A. 2006-03-02.
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