Periodic current blocking structure | |
PEH, WEI, TAN; RAYMOND, ADHI, PANGESTU, SELOMULYA; YUEN, CHUEN, CHAN; LAY, CHENG, CHOO; YEE, LOY, LAM | |
2005-02-23 | |
著作权人 | DENSELIGHT SEMICONDUCTORS PTE LTD |
专利号 | GB2405258A |
国家 | 英国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | Periodic current blocking structure |
英文摘要 | A gain and index complex coupled DFB laser comprises a periodic arrangement of high band gap semiconductor material 33 surrounded low band gap semiconductor material 32 which provides a periodic current blocking structure. |
公开日期 | 2005-02-23 |
申请日期 | 2003-08-18 |
状态 | 失效 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51384] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | DENSELIGHT SEMICONDUCTORS PTE LTD |
推荐引用方式 GB/T 7714 | PEH, WEI, TAN,RAYMOND, ADHI, PANGESTU, SELOMULYA,YUEN, CHUEN, CHAN,et al. Periodic current blocking structure. GB2405258A. 2005-02-23. |
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