| 貫通ビア垂直配線、貫通ビア型ヒートシンク及び関連する形成方法 | |
| パルマー ウィリアム デヴァルー; ボナフィード サルヴァトア; テンプル ドロータ; ストーナー ブライアン アール | |
| 2005-01-13 | |
| 著作权人 | エムシーエヌシー リサーチ アンド デベロップメント インスティテュート |
| 专利号 | JP2005501413A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 貫通ビア垂直配線、貫通ビア型ヒートシンク及び関連する形成方法 |
| 英文摘要 | 改良された貫通ビア垂直配線、貫通ビア型ヒートシンク及び関連する形成技術を実現する。得られる装置は、低温での堆積処理を可能にする有機誘電体層から利益を享受する。貫通ビア配線及びヒートシンクの形成に用いられる低温処理により、能動素子及び対応する回路の形成後を含め、半導体装置の製造におけるどの時点でも配線及びヒートシンクを形成することが可能になる。本発明の貫通ビア垂直配線は、配線構造を構成する種々の層のコンフォーマルな厚さを確保するように、形成されている。従って、基板の厚さと配線の直径との比が約4:1ないし約10:1の範囲の高アスペクト比で、配線を形成することが可能である。 |
| 公开日期 | 2005-01-13 |
| 申请日期 | 2002-08-23 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51353]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | エムシーエヌシー リサーチ アンド デベロップメント インスティテュート |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | パルマー ウィリアム デヴァルー,ボナフィード サルヴァトア,テンプル ドロータ,等. 貫通ビア垂直配線、貫通ビア型ヒートシンク及び関連する形成方法. JP2005501413A. 2005-01-13. |
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