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	半導体受発光装置及びその組立方法
	嶋岡 誠; 中村 均; 芹沢 弘二; 松原 茂; 金谷 達憲; 山田 泰文; 橋本 俊和
	1999-12-14
著作权人	HITACHI LTD
专利号	JP1999346030A
国家	日本
文献子类	发明申请
其他题名	半導体受発光装置及びその組立方法
英文摘要	【課題】アクセス系光通信に使用する平面実装モジュールを実現するには、はんだ接合層の厚さ制御と確実な接合ができる構造を提供するところにある。 【解決手段】(1)はんだ厚さを制御し易くするため、すべてをAu-Snはんだにしないで、他の金属膜で厚さを確保する。この金属膜は、はんだ接合時溶解することはないので厚さを確保し易い。(2)はんだ面積を分割した構造とすることで応力低減を図る。(3)蒸着膜をアニールすることにより、膜強度を高くする。(4)はんだ厚を制御するため、はんだ接合部とは別の部分にはんだ厚調整用ニッケルの膜を設けることで変形、収縮を抑える
公开日期	1999-12-14
申请日期	1998-06-03
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51185]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	HITACHI LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	嶋岡 誠,中村 均,芹沢 弘二,等. 半導体受発光装置及びその組立方法. JP1999346030A. 1999-12-14.

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