| 半導体素子と光ファイバの搭載基板 | |
| 福田 和之; 嶋岡 誠; 吉田 幸司; 石井 利昭; 三浦 敏雄; 高橋 正一; 菊池 悟 | |
| 1999-04-23 | |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 专利号 | JP1999109188A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子と光ファイバの搭載基板 |
| 英文摘要 | 【課題】レーザダイオードとこれに光結合する光ファイバとを搭載するシリコン基板に熱変形が生じても、レーザダイオードと光ファイバの光結合を安定に行えるシリコン基板、及びこれらのシリコン基板を使用した信頼性の高い光モジュールを提供する。 【解決手段】第一の溝3を挟んでレーザダイオード8が搭載される位置と反対側の離れた位置に形成する熱変形吸収溝4である。第一の光ファイバ端面突き当て溝3と第二の熱変形吸収溝4は、溝幅及び溝深さが異なっており、第二の熱変形吸収溝4の方が溝幅及び溝深さともに大きく形成している。 |
| 公开日期 | 1999-04-23 |
| 申请日期 | 1997-10-03 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51125]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 福田 和之,嶋岡 誠,吉田 幸司,等. 半導体素子と光ファイバの搭載基板. JP1999109188A. 1999-04-23. |
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