| 適合層メタライゼーション | |
| ガスタブ エドワード ダーキッツ,ジュニヤ; ジョーゼ アルメイダ ローレンコ; ラメシュ アール.ヴァーマ | |
| 1996-08-20 | |
| 著作权人 | エイ·ティ·アンド·ティ·コーポレーション |
| 专利号 | JP1996213713A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 適合層メタライゼーション |
| 英文摘要 | 【課題】本発明は適合層メタライゼーションを提供する。 【解決手段】半導体及び半導体サブマウント間に生じる熱的及び機械的応力を軽減するための、適合層メタライゼーションである。適合層メタライゼーションは適合層、湿潤層及び障壁層を含む。適合層は熱的及び機械的応力を軽減する。湿潤層ははんだづけ中、適切に湿潤させる。障壁層ははんだボンディング中、ボンディング材料が適合層又は半導体に拡散するのを、防止する。 |
| 公开日期 | 1996-08-20 |
| 申请日期 | 1995-11-22 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51001]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | エイ·ティ·アンド·ティ·コーポレーション |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ガスタブ エドワード ダーキッツ,ジュニヤ,ジョーゼ アルメイダ ローレンコ,ラメシュ アール.ヴァーマ. 適合層メタライゼーション. JP1996213713A. 1996-08-20. |
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