| 多ビーム半導体レーザーの製造方法 | |
| ジョン·アール·アンドリュース; ジョージ·エイ·ネビル·コネル | |
| 1994-12-02 | |
| 著作权人 | ゼロックス·コーポレーション |
| 专利号 | JP1994334275A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 多ビーム半導体レーザーの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 近接して隔置されるが、熱的、電気的及び光学的に相互に分離された複数個の半導体レーザー·チップから多ダイオード·レーザーを製造する方法を提供すること。 【構成】 それぞれ一対の支持ヒートシンクに固定された第1及び第2半導体レーザー·ダイスがレーザーに含まれる多ビーム半導体レーザーを製造する方法。本方法では、サンドイッチ状素子を形成すべく中間スペーサーの反対側上にて相互に支持ヒートシンクを正確に位置付けるラミネート化方法を利用する。サンドイッチ状素子をベース·プレートに永久的に固定した後、中間スペーサーが溶かされるか若しくは除去されてレーザー·ダイスに対して設置面を露呈させる。本方法は、位置誤差を低減すべく相互に対するヒートシンクの正確な設置を可能にするだけでなく,後続の多段階レーザー·ビーム整合作動の必要性を無くす。 |
| 公开日期 | 1994-12-02 |
| 申请日期 | 1994-04-28 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50889]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ゼロックス·コーポレーション |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ジョン·アール·アンドリュース,ジョージ·エイ·ネビル·コネル. 多ビーム半導体レーザーの製造方法. JP1994334275A. 1994-12-02. |
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