| 半導体レーザの作製方法 | |
| アルフレッド イー チョー; サン-ニー ジョージ チュ; クオチョウ タイ; エオン-ハー ワン | |
| 1994-03-29 | |
| 著作权人 | アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー |
| 专利号 | JP1994090057A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの作製方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明は、レーザ空胴を少なくとも1つの分布ブラッグ反射器(DBR)に結合することを含む垂直空胴面発光レーザの作製方法に関する。 【構成】 方法はガリウム砒素基板(10)上に組成が交互になった少なくとも10層を有する分布ブラッグ反射器(30、70)を成長させることを含む。基板の成長面は(100)面方向から(111)A面方向へ1°-7°の角だけ傾いている。これにより、結果としてDBRの反射率が改善される。 |
| 公开日期 | 1994-03-29 |
| 申请日期 | 1991-12-13 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50743]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | アルフレッド イー チョー,サン-ニー ジョージ チュ,クオチョウ タイ,等. 半導体レーザの作製方法. JP1994090057A. 1994-03-29. |
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