一种减少半导体激光器封装应力的芯片结构 | |
杨扬; 夏伟; 苏建; 徐现刚 | |
2016-01-06 | |
著作权人 | 山东华光光电子股份有限公司 |
专利号 | CN204947320U |
国家 | 中国 |
文献子类 | 实用新型 |
其他题名 | 一种减少半导体激光器封装应力的芯片结构 |
英文摘要 | 本实用新型涉及一种减少半导体激光器封装应力的芯片结构。所述芯片结构是在具有电流注入区域和发光增益区域的增益波导型半导体激光器结构中刻蚀出沿激光振荡方向延伸的2个沟槽,电流注入区域位于2个沟槽中间,通过适当加大沟槽的开口宽度及调控开口宽度和深度比,使后续封装时的焊料充分进入和浸润到发光增益区域两侧的沟槽内并减少了发光增益区域两侧的焊料,残余应力明显降低,激射光波长单一且稳定;同时改善导电导热能力。本实用新型方法不增加工序及制造成本,利于工业应用。 |
公开日期 | 2016-01-06 |
申请日期 | 2015-08-28 |
状态 | 授权 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49772] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 山东华光光电子股份有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨扬,夏伟,苏建,等. 一种减少半导体激光器封装应力的芯片结构. CN204947320U. 2016-01-06. |
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