| 由物理气相沉积形成的氮化铝缓冲层和活性层 | |
| 朱鸣伟; 奈格·B·帕蒂班德拉; 汪荣军; 维韦卡·阿格拉沃尔; 阿纳塔·苏比玛尼; 丹尼尔·L·迪尔; 唐先明 | |
| 2017-04-12 | |
| 著作权人 | 应用材料公司 |
| 专利号 | CN104428441B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 由物理气相沉积形成的氮化铝缓冲层和活性层 |
| 英文摘要 | 本文所述的本发明的实施方式一般涉及用于形成高品质缓冲层和III‑V族层的设备和方法，所述缓冲层和III‑V族层用来形成有用的半导体装置，如电源装置、发光二极管(light emitting diode；LED)、激光二极管(laser diode；LD)或其它有用装置。本发明的实施方式还可包括用于形成高品质缓冲层、III‑V族层和电极层的设备和方法，所述缓冲层、III‑V族层和电极层用来形成有用的半导体装置。在一些实施方式中，设备和方法包括使用一或多个群集工具，所述群集工具具有一或多个物理气相沉积(physical vapor deposition；PVD)腔室，所述腔室适于在多个基板的表面上同时沉积高品质氮化铝(AlN)缓冲层，所述缓冲层具有较高的结晶取向。 |
| 公开日期 | 2017-04-12 |
| 申请日期 | 2013-07-01 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49732]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 应用材料公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱鸣伟,奈格·B·帕蒂班德拉,汪荣军,等. 由物理气相沉积形成的氮化铝缓冲层和活性层. CN104428441B. 2017-04-12. |
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