| 大功率半导体激光二极管 | |
| 克里斯托弗·哈德尔; 亚伯拉罕·雅库博维奇; 尼古拉·马图舍克; 约尔格·特罗格; 米夏埃尔·施瓦茨 | |
| 2013-03-27 | |
| 著作权人 | II-VI激光企业股份有限公司 |
| 专利号 | CN101213712B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 大功率半导体激光二极管 |
| 英文摘要 | 半导体激光二极管，特别是具有大光输出功率的单片式宽发射域(BASE)激光二极管，通常用在光电子学领域。这种激光二极管的光输出功率和稳定性受到很大关注，并且在正常使用过程中的任何恶化都是非常不利的。本发明关注这种激光二极管的改进设计，特别是对通过以规定方式控制激光二极管中的电流来显著最小化或避免在非常大光输出功率时的(前)端部恶化的改进。这通过沿着激光二极管的纵向延伸方向建立各个电流注入点来以新颖的方式控制进入激光二极管的载流子注入，即注入电流而实现。而且，每个单个或成组电流注入点的供给电流/电压可以分别调节，从而进一步提高载流子注入的可控性。 |
| 公开日期 | 2013-03-27 |
| 申请日期 | 2006-06-28 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49677]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | II-VI激光企业股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 克里斯托弗·哈德尔,亚伯拉罕·雅库博维奇,尼古拉·马图舍克,等. 大功率半导体激光二极管. CN101213712B. 2013-03-27. |
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