半導體光元件、半導體光積體元件及半導體光元件的製造方法 | |
山口勉; 佐久間仁; 尾上和之 | |
2019-09-11 | |
著作权人 | 日商三菱電機股份有限公司 |
专利号 | TWI671967B |
国家 | 中国台湾 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 半導體光元件、半導體光積體元件及半導體光元件的製造方法 |
英文摘要 | 本發明係在具有:第一包覆層;具有形成為脊形狀的脊部(20)的第二包覆層;及位於第一包覆層與第二包覆層之間,具有傳播光的光封閉層(2、22)的半導體光元件,脊部(20),係從接近光封閉層(2、22)側,依序具有脊下部(5)、脊中間部(6)、脊上部(8),脊中間部(6),垂直在上述光封閉層(2、22)的光傳播方向的光軸的剖面的寬度,較上述脊下部(5)及上述脊上部(8)寬。 |
公开日期 | 2019-09-11 |
申请日期 | 2018-10-12 |
状态 | 授权 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49499] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 日商三菱電機股份有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 山口勉,佐久間仁,尾上和之. 半導體光元件、半導體光積體元件及半導體光元件的製造方法. TWI671967B. 2019-09-11. |
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