半導體光元件、半導體光積體元件及半導體光元件的製造方法
山口勉; 佐久間仁; 尾上和之
2019-09-11
著作权人日商三菱電機股份有限公司
专利号TWI671967B
国家中国台湾
文献子类授权发明
其他题名半導體光元件、半導體光積體元件及半導體光元件的製造方法
英文摘要本發明係在具有:第一包覆層;具有形成為脊形狀的脊部(20)的第二包覆層;及位於第一包覆層與第二包覆層之間,具有傳播光的光封閉層(2、22)的半導體光元件,脊部(20),係從接近光封閉層(2、22)側,依序具有脊下部(5)、脊中間部(6)、脊上部(8),脊中間部(6),垂直在上述光封閉層(2、22)的光傳播方向的光軸的剖面的寬度,較上述脊下部(5)及上述脊上部(8)寬。
公开日期2019-09-11
申请日期2018-10-12
状态授权
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49499]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位日商三菱電機股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
山口勉,佐久間仁,尾上和之. 半導體光元件、半導體光積體元件及半導體光元件的製造方法. TWI671967B. 2019-09-11.
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