| 光半導體裝置 | |
| 中村直幹; 中井栄治 | |
| 2019-09-01 | |
| 著作权人 | 三菱電機股份有限公司 |
| 专利号 | TWI670907B |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光半導體裝置 |
| 英文摘要 | 【所欲解決之技術問題】 本發明之課題在得到一種可以抑制對接介面上之電流集中以提高可靠性的光半導體裝置。 【解決問題之技術手段】 本發明之解決手段為，在n型半導體基板1之上設置n型包層2。然後，在n型包層2之上設置半導體雷射之活性層3及波導之波導層4。活性層3的側面與波導層4的側面相向。接著，在活性層3及波導層4之上設置p型包層5。中間層8設於活性層3之側面與波導層4之側面之間以及n型包層2與波導層4之間，不設於活性層3之上，具有比波導層4之能帶隙還大的能帶隙。 |
| 公开日期 | 2019-09-01 |
| 申请日期 | 2017-02-15 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49497]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村直幹,中井栄治. 光半導體裝置. TWI670907B. 2019-09-01. |
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