DFB激光器外延结构 | |
单智发; 张永 | |
2019-07-09 | |
著作权人 | 全磊光电股份有限公司 |
专利号 | CN209088265U |
国家 | 中国 |
文献子类 | 实用新型 |
其他题名 | DFB激光器外延结构 |
英文摘要 | 本实用新型涉及一种DFB激光器外延结构,其包括其包括自下而上依次层叠设置的衬底、光栅层、缓冲层、限制层、下波导层、量子阱、上波导层、上限制层、过渡层、腐蚀阻挡层、包层、势垒渐变层和欧姆接触层。本实用新型提供的DFB激光器外延结构将光栅设置于N型层,由于N型半导体材料中,传输电流的载流子是电子,其具有比P型半导体载流子空穴更长的载流子寿命和输运长度,可以弥补光栅过厚对激光器电性能的影响。 |
公开日期 | 2019-07-09 |
申请日期 | 2019-01-15 |
状态 | 授权 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49428] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 全磊光电股份有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 单智发,张永. DFB激光器外延结构. CN209088265U. 2019-07-09. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论