使用纵横比俘获生长的硅上激光器结构

	使用纵横比俘获生长的硅上激光器结构
	郑政玮; E·里欧班端; 李宁; D·K·萨达纳; 徐崑庭
	2019-04-19
著作权人	国际商业机器公司
专利号	CN106025799B
国家	中国
文献子类	授权发明
其他题名	使用纵横比俘获生长的硅上激光器结构
英文摘要	一种使用纵横比俘获(ART)生长在硅上形成激光器的方法。方法可以包括：在衬底上形成第一绝缘体层；在第一绝缘体层中刻蚀沟槽从而暴露衬底的顶表面；使用ART生长在沟槽中形成缓冲层；在缓冲层上形成激光器，激光器包括至少一个活性区域以及顶部包覆层；以及形成在顶部包覆层上的顶部接触以及在衬底上的底部接触。
公开日期	2019-04-19
申请日期	2016-03-29
状态	授权
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49380]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	国际商业机器公司
推荐引用方式 GB/T 7714	郑政玮,E·里欧班端,李宁,等. 使用纵横比俘获生长的硅上激光器结构. CN106025799B. 2019-04-19.