| 一种氧化型垂直腔面激光器 | |
| 姜勋财; 汤宝; 朱拓; 余兵; 吴振华 | |
| 2019-04-09 | |
| 著作权人 | 武汉电信器件有限公司 |
| 专利号 | CN208723310U |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 一种氧化型垂直腔面激光器 |
| 英文摘要 | 本实用新型属于光电子技术领域，公开了一种氧化型垂直腔面激光器，从下至上依次包括：N面电极、衬底、N型DBR、有源区、氧化限制层、P型DBR、P面电极；所述P型DBR为柱状台面，所述台面的中心设有氧化孔，所述台面包含有豁口，多个所述豁口环绕所述氧化孔均匀分布。本实用新型解决了现有技术中侧氧化后绝缘层的边缘的电流密度比中心区域高的问题，达到了缩减氧化深度，提高氧化精确度、节约氧化成本的技术效果。 |
| 公开日期 | 2019-04-09 |
| 申请日期 | 2018-09-11 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49377]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉电信器件有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 姜勋财,汤宝,朱拓,等. 一种氧化型垂直腔面激光器. CN208723310U. 2019-04-09. |
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